Analiza strat przekształtnika napięcia z tranzystorami SiC MOSFET

W artykule przedstawiono analizę strat przełączeniowe w przekształtnikach energoelektronicznych z tranzystorami SiC MOSFET. Omówiono wpływ częstotliwości przełączania na generowanie ciepła oraz metody ograniczania strat, takie jak stosowanie gasików, optymalizacja sterowników bramkowych i wykorzystanie zaawansowanych technologii materiałowych (SiC, GaN). Badania teoretyczne i praktyczne wskazują na korzyści z wykorzystania symulacji komputerowych w projektowaniu przekształtników.

---

The paper presents an analysis of switching losses in power electronic converters with SiC MOSFET transistors. The influence of switching frequency on heat generation and methods of reducing losses, such as the application of snubbers, gate driver optimization and the use of advanced material technologies (SiC, GaN) are discussed. Theoretical and practical studies indicate the benefits of using computer simulations in the design of power inverters.