Tytuł pozycji:
Technologia SLID w montażu GaN-on-Si do podłoży Cu
Analizowano proces montażu chipów GaN-on-Si do podłoży Cu w oparciu o pasty Ag. Wykorzystano dwa zjawiska: zgrzewania dyfuzyjnego do połączenia między metalizacją montażową chipu Si i pastą Ag oraz zjawisko dyfuzji w fazie ciekłej (SLID – Solid-Liquid Interdiffusion) do połączenia między podłożem Cu a warstwą pasty Ag. Stosowano jeden profil temperaturowy: suszenie 70C&10min+ SLID 250C&5min oraz dyfuzję w fazie stałej 200C&60min. Uzyskano połączenie o dobrej adhezji (powyżej 10 MPa) oraz zadowalającej rezystancji cieplnej (ok. 0,05 K/W).
The application of SLID technology for the assembly of GaN-on-Si chips on Cu substrate using Ag paste is considered. The assembly process is based on: sintering for creation interface between Au metallization on Si chips and Ag paste as well as SLID process for creation interface between Ag paste and Cu substrate with Sn metallization. One temperature profile was applied: drying (70C&10min) + SLID (250C&5 min) + sintering (200C&60 min) in air. Connection is characterized by good adhesion (above 10 MPa) and low thermal resistance (0,05 K/W).
Opracowanie rekordu ze środków MNiSW, umowa Nr 461252 w ramach programu "Społeczna odpowiedzialność nauki" - moduł: Popularyzacja nauki i promocja sportu (2021).
