Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Electronic structures of Hg-doped anatase TiO2 with different O vacancy concentrations

Tytuł:
Electronic structures of Hg-doped anatase TiO2 with different O vacancy concentrations
Autorzy:
Zheng, S. K.
Wu, G.
Zhang, S.
Su, J.
Liu, L.
Data publikacji:
2014
Słowa kluczowe:
Hg doping
anatase TiO2
O vacancy
first principles
Język:
angielski
Dostawca treści:
BazTech
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
The electronic structures of Hg-doped anatase TiO2 with different O vacancy concentrations were calculated using the first-principles based on the density functional theory. The calculated results show that the forbidden band widths of Hgdoped anatase TiO2 widened along with the increase of O vacancy concentration, which is responsible for the blue shift in the absorption edges. It can be deduced from the present study that the Hg-doped TiO2 samples prepared in the experimental research contain a certain quantity of O vacancies.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies