Tranzystory z grafenu epitaksjalnego

Opracowano technologię tranzystorów potowych z grafenu epitaksjalnego na podłożu z węglika krzemu. Przedstawiono charakteryzację grafenu i przyrządów. Poprzez badanie transportu nośników potwierdzono wysoką jakość grafenu. Otrzymano staloprądowe charakterystyki tranzystorów porównywalne z opisywanymi w literaturze. Na podstawie posiadanego doświadczenia określono drogę przyszłego rozwoju tranzystorów z grafenu i zidentyfikowano technologie konkurencyjne.

---

We have developed technology of transistors made of epitaxial graphene grown on silicon carbide substrate. Carrier transport investigation confirmed good quality of graphene. DC parameters of developed transistors are similar to reported in the literature. On the basis of own experience we predict the way of future developments of grafene devices and indicate possible competing technologies.