Udoskonalona metoda obliczania mocy traconej w tranzystorach wzmacniacza klasy AB

Przedstawiono udoskonaloną metodę obliczania mocy traconej w elementach aktywnych przeciwsobnego wzmacniacza liniowego klasy AB w funkcji jego wysterowania. Dla charakterystyki przejściowej elementu aktywnego zastosowano aproksymację kwadratową w obszarze zakrzywienia oraz aproksymację liniową w obszarze dużych prądów. Metoda obejmuje także zasady doboru prądu spoczynkowego elementów aktywnych przeciwsobnego wzmacniacza klasy AB zapewniające maksymalną liniowość. Otrzymane wyniki zweryfikowano podczas symulacji komputerowych i pomiarów wzmacniacza z tranzystorami IRF510 (20 W, 1 – 3 MHz) i wzmacniacza z podwójnym tranzystorem w. cz. SD703 (100 W, 3 – 30 MHz).

---

An improved method of calculating the power dissipated in transistors in the Class-AB push-pull linear amplifier versus the amplifier drive level is presented. A mixed piece-wise square-linear approximation of the transistor transfer characteristic is applied (the square approximation in the “knee” region, and linear in the high-current region). The method describes also how to find the quiescent current of power transistors in the Class- AB push-pull amplifier to maximize its linearity. This method has been verified by PSPICE simulations and measurements of the amplifier with IRF510 transistors (20W, 1 - 3MHz) and the amplifier with the h.f. push-pull SD703 transistor (100W, 3 - 30MHz).