Lasery pracujące w schemacie kaskadowym w kontekście zastosowania w szeroko przestrajalnych optoelektronicznych czujnikach gazów

W niniejszej pracy przedstawiono wyniki badań spektroskopowych przeprowadzonych na studniach kwantowych drugiego typu AlSb/InAs/GaIn(As)Sb/InAs/AlSb osadzanych na podłożu z GaSb lub z InAs. Badania skoncentrowane były na analizie widm optycznych wykonanych eksperymentów natury zarówno emisyjnej jak i absorpcyjnej. Szczegółowa analiza widm fotoluminescencji oraz fotoodbicia pozwoliła na zbadanie takich aspektów jak np: (i) wpływ zastosowania czteroskładnikowej warstwy GaIn(As)Sb o różnej koncentracji atomów arsenu na energię przejścia podstawowego; (ii) wpływ dodatku arsenu na obecność i koncentrację defektów w obszarze między powierzchni InAs/GaIn(As)Sb; (iii) modyfikacja struktury celem zwiększenia siły oscylatora podstawowego przejścia optycznego; (iv) analiza szerokości spektralnej widm fotoluminescencji w funkcji mocy pobudzania i jej związek z szerokością pasma wzmocnienia w przyrządach laserowych.

---

In this work, there are presented the results of the spectroscopic studies on the type II AlSb/InAs/GaIn(As)Sb/InAs/AlSb quantum wells. The work has been focused on the analysis of the photoluminescence and photoreflectance spectra. The performed measurements allowed to investigate the following device-relevant issues: (i) the influence of composition of the quaternary layers GaIn(As)Sb, with different arsenic contents, on the fundamental transition energy; (ii) the role of the arsenic atoms on the formation of defect-like states at the interfaces; (iii) structure modification for the enhancement of the oscillator strength of the optical transitions; (iv) the analysis the emission band spectral width in a function of the optical exciation in the context to broadening the laser device band gainwidth.