Obliczanie współczynnika absorbcji supersieci InAs/GaSb

W pracy przedstawiono wyniki obliczeń dla supersieci (InAs)10 ML / (GaSb)10 ML z asymetrycznymi powierzchniami międzyfazowymi. Symulacje zrealizowano z zastosowaniem zmodyfikowanej 3-pasmowej metody k•p, która uwzględnia mieszanie się stanów ciężkich oraz lekkich dziur na powierzchniach międzyfazowych w strukturze. Wyznaczono strukturę pasmową oraz współczynnik absorpcji supersieci, w temperaturze T=300K. Obliczenia wykonano dla światła padającego na strukturę prostopadle do płaszczyzny warstw supersieci (tj. w kierunku z) i spolaryzowanego w kierunku x (polaryzacja TE). Symulacje zrealizowano dla dwóch dyskretyzacji w przestrzeni wektora falowego kt=(kx, ky), tj. z krokiem Δkx=Δky=0,01π/a oraz Δkx=Δky=0,005π/a, gdzie a jest stałą sieci.

---

The paper presents results of calculations of band structure of (InAs)10 ML / (GaSb)10 ML superlattice with asymetric interfaces. Simulations have been performed using modified k•p method which takes into account valence band mixing at the interfaces. The absorption coefficient of the superlattice has been determined at T=300K. The calculation has been done for normal incidence and TM polarization of incoming light. Two different discredizations in the wavevector space kt=(kx, ky) have been considered; with Δkx=Δky=0,01π/a step and Δkx=Δky=0,005π/a, where a is lattice constant.