Bipolarne tranzystory mocy wykonane z węglika krzemu

Artykuł dotyczy bipolarnych tranzystorów mocy wykonanych z węglika krzemu. Scharakteryzowano wybrane właściwości węglika krzemu. Przedstawiono historię rozwoju tych przyrządów jak również ich status komercyjny oraz stan literatury dotyczący tych tranzystorów. Zwrócono uwagę na mankamenty w zakresie modelowania rozważanej klasy przyrządów półprzewodnikowych z wykorzystaniem programu SPICE.

---

The paper deals with the bipolar power transistors made of silicon carbide (SiC-BJTs). The selected features of silicon carbide, the history of SiC-BJTs development and their commercial status are described. Additionally, the short overview of literature concerning the considered class of SiC devices is presented. The special attension is paid to shortcoming in the range of SiC-BJTs modeling with the use of SPICE.