Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Modeling of the inverse base width modulation effect in HBT transistor with graded SiGe base

Szczegóły
Abstrakt

Tytuł:: Modeling of the inverse base width modulation effect in HBT transistor with graded SiGe base
Autorzy:: Zaręba, A.
Łukasiak, L.
Jakubowski, A.
Data publikacji:: 2007
Słowa kluczowe:: heterojunction bipolar transistor
SiGe
base width modulation
Język:: angielski
Dostawca treści:: BazTech
: Artykuł

Przejdź do źródła Pełny tekst

A model of the position of the edge of emitter-base junction in the base and collector current pre-exponential ideality factor in HBT transistor with a SiGe base is presented. The model is valid for transistors with nonuniform profiles of doping and Ge content. The importance of taking into account the dependence of the effective density of states in SiGe on local Ge content and that of electron diffusion coefficient in SiGe on drift field for modeling accuracy is studied.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Modeling of the inverse base width modulation effect in HBT transistor with graded SiGe base