Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Nowe materiały dla pamięci (FeRAM): badanie cienkich warstw SrBi2Ta2O9 (SBT) na substratach z tlenków przewodzących.

Szczegóły

Tytuł:: Nowe materiały dla pamięci (FeRAM): badanie cienkich warstw SrBi2Ta2O9 (SBT) na substratach z tlenków przewodzących.
Autorzy:: Nihoul, G.
Villain, S.
Madigou, V.
Nigrelli, E.
Data publikacji:: 2001
Słowa kluczowe:: pamięć
pamięć stała
cienka warstwa
cienka warstwa ferromagnetyczna
przewodzenie
epitaksja
polaryzacja
memory
non-volatile memory
thin films
ferroelectric thin films
conduction
oxide substrate
epitaxy
polarization
Język:: polski
Dostawca treści:: BazTech
: Artykuł

Przejdź do źródła

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Nowe materiały dla pamięci (FeRAM): badanie cienkich warstw SrBi2Ta2O9 (SBT) na substratach z tlenków przewodzących.