Amorphous a-C:N:H layers formation by Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition.

Amorphous a-C:N:H layers were deposited at room temperature on (100) silicon, quartz glass, steel substrates by RFCVD (radio frequency chemical vapour deposition) and MWCVD (microwave chemical vapour deposition). A gas mixture of methane, nitrogen and argon is used as the reactive gas. The films have been characterised by XPS, FTIR.

---

Amorficzne warstwy a:C:N:H na (100) krzemie, kwarcowym szkle i stali otrzymano w pokojowej temperaturze metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej wspomaganej plazmą o częstotliwości radiowej oraz mikrofalowej. Jako reagenty stosowano mieszaninę metanu, azotu i argonu. Skład chemiczny i strukturę warstw badano rentgenowską spektoskopią fotoelektronów (XPS) i fourierowską spektroskopią w podczerwieni (FTIR).