Dwuwymiarowość widm w niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej.

W artykule zaproponowano nowe podejście do procesu obliczeniowego służącego charakteryzacji materiałów wysokorezystywnych metodą PITS, polegajęce na aproksyacji funkcją dwuwymiarową powierzchni widmowej PITS uzyskanej metodą korelacyjną. Do zależności opisujących tę funkcję włączono równanie Arrheniusa, uwzględniające zmianę właściwości centrów defektowych w funkcji temperatury. Parametry tej funkcji uzyskane w wyniku jej dopasowania do fałd powierzchni widmowej określają właściwości wykrytych defektów. Do eksperymentalnej weryfikacji nowego algorytmu zastosowano próbki Si, zawierające centra A (kompleks wakans-tlen) celowo wprowadzone poprzez napromieniowanie neutronami.

---

A new approach to extracton of trap parameters from temperature dependence of photocerrent decay waveforms is proposed. The method is based on using the correlation procedure to obtain two-dimensional spectra that are described by the functions of two variables:the temperature and the emission rate. The latter is calculated according to the assumed weighting function. In three-dimensional space the spectra represent the surface the shape of which depends on the thermal emission from the defects centres. The folds of the spectral surface are fitted with two-dimensional approximation functions. The projecton of the ridgeline of approximation function on the plane in co-ordinates temperature and emission rate is simultaneously fitted with Arrhenius equation. The application of this approach is exemplified by determination of activation energy and capture cross-section of the centre A in neutron irradiated Si.