Mikrostruktura i właściwości skrawne kompozytu diament /WC

Kompozyt diament/WC6Co na podłożu z węglika spiekanego WC10Co spiekano w warunkach nietrwałości termodynamicznej diamentu metodą PPS (Pulse Plasma Sintering). Spieki otrzymywano w jednym procesie w temperaturze 1100°C pod naciskiem 75 MPa przez 10 min. Specyficzne warunki spiekania silnoprądowymi impulsami pozwoliły uniknąć grafityzacji diamentu i uzyskać gęste spieki charakteryzujące się silnym wiązaniem pomiędzy diamentem a osnową z WC6Co. Twardość kompozytu diament/WC6Co wynosi ok. 2100 HV1, a podłoża z WC10Co ok. 1800 HV1. Zużycie ostrzy ze spieku diament/WC6Co w obróbce skrawaniem materiałów drewnopochodnych jest ok. 4 razy mniejsze niż ostrzy z węglika spiekanego.

---

The diamond/WC6Co composite produced on a sintered carbide WC10Co substrate was sintered under the conditions of thermodynamic instability of diamond by PPS (Pulse Plasma Sintering) method. The sinters were obtained during one sintering process at a temperature of 110°C under a load of 75 MPa for 10 min. The specific sintering conditions which exist in the presence of high-current electric pulses permitted to avoid graphitization of diamond. It caused obtaining dense sinters with strong bound between the diamond particles and WC6Co matrix. The hardness of the diamond/WC6Co composite was about 2100 HV1 and WC10Co substrate was about 1800 HV1. The wear of the milling cutter edges with diamond/W6Co sinter in machining of melamine faced boards is 4 times lower than those of sintered carbide.