Reakcje prowadzące do wzrostu warstw a-SiNx:H w układzie PE CVD

Przedstawiono model wzrostu warstw azotku krzemu a-SiNx:H na drodze chemicznego osadzania z fazy gazowej. Model uwzględnia przebieg reakcji chemicznych w fazie gazowej i reakcji heterogenicznych na powierzchni w roli katalizatora. W warunkach plazmy (układ PE CVD), reakcje heterogeniczne przebiegają głównie z udziałem aktywnych rodników, a zasadniczy wpływ na ich przebieg ma wodór. Uzasadniono, że bierze on udział w tworzeniu wiązań wiszących, których gęstość decyduje o szybkości wzrostu warstwy i o jej strukturze. Proponowany model pozwala wyjaśnić mechanizmy odpowiedzialne za tworzenie struktury amorficznej, jaka wynika z analizy widma FT IR. Jego założenia są zgodne z przebiegiem polimeryzacji i teorią kompleksu aktywnego.

---

A model of a growth of amorphous silicon nitride layers (a-SiNx:H) via chemical vapour deposition is presented. The model considers a run of chemical reactions in gas phase and heterogeneous reactions on the surface. In plasma conditions, the chemical reactions take place with a contribution of active radicals. The process is limited by hydrogen that takes part in the formation of dangling bonds. The density of dangling bonds determines a rate of the growth and the structure of the layer. The present model explains mechanisms responsible for the formation of amorphous structure (as it results from FT IR spectrum). It is in agreement with polymerisation and active complex approach.