Microstructure investigation of thin films SnO2 produced by pulsed laser deposition

Thin layers SnO2 were produced by the PLD technique by means of an Nd-YAG laser with a Q-switch with & = 266 nm. The layers were deposited on Si substrate with orientation (100). Due to the presence of a thin, several nanometres thing layer of SiO2 on the surface of the substrate, the orientation of the substrate was not mapped. Examinations of the structure were carried out by means of transmission electron microscopy, scanning electron microscopy and X-ray diffraction phase analysis. It was shown that the method of target preparation has impact on the surface quality of the obtained layer. The impact of PLD process parameters on structure changes were identified, which allowed the optimum conditions of producing SnO2 layers with the best developed surface to be determined.

---

Cienkie warstwy SnO2 wytworzono techniką PLD, wykorzystując laser Nd-YAG z Q-switchem o & = 266 nm. Warstwy nakładane były na podkładki Si o orientacji (100). Z uwagi na obecność cienkiej, kilku manometrycznej warstwy SiO2 na powierzchni podkładek nie uzyskano odwzorowania orientacji podłoża. Badania struktury przeprowadzono za pomocą transmisyjnej mikroskopii elektronowej, mikroskopii elektronowej skaningowej oraz dyfrakcyjnej rentgenowskiej analizy fazowej. Wykazano, iż na jakość otrzymanej powierzchni warstwy wpływa sposób przygotowania tarczy. Określono wpływ parametrów procesu PLD na zmiany struktury, co pozwoliło określić optymalne warunki wytwarzania warstw SnO2 o maksymalnie rozwiniętej powierzchni.