Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Tyrystory polowe sterowane bramkami MOS

Tytuł:
Tyrystory polowe sterowane bramkami MOS
Autorzy:
Januszewski, S.
Kociszewska-Szczerbik, M.
Data publikacji:
1998
Słowa kluczowe:
tyrystory polowe
bramki MOS
Język:
polski
Dostawca treści:
BazTech
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
Scharakteryzowano rodzaje i ogólne właściwości tyrystorów polowych.Omówiono tyrystory sterowane bramkami MOS (MCT), z przełączanym emiterem (EST) oraz sterowane rezystancją bazy (BRT). Przedstawiono zalety i wady tyrystorów polowych oraz perspektywy ich rozwoju.
Kinds and general properties of field-effect thyrystors are characterized Discussed are MOS-gate controlled thyristors (MCT), emitter-switch thyristors (EST) and base-resistance controlled thyristors (BRT). Merits and disadvantages of the field-effect thyristors as well as prospects of their future development are presented.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies