Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Technologia bramek rowkowych w tranzystorach IGBT

Szczegóły
Abstrakt

Tytuł:: Technologia bramek rowkowych w tranzystorach IGBT
Autorzy:: Januszewski, S.
Data publikacji:: 2000
Słowa kluczowe:: bramki rowkowe
tranzystory IGBT
wytwarzanie tranzystorów IGBT
Język:: polski
Dostawca treści:: BazTech
: Artykuł

Przejdź do źródła

Omówiono wytwarzanie tranzystorów IGBT z bramkami rowkowymi, Przedstawiono właściwości tranzystorów IGBT o napięciach blokowania 600 V; 1,2-2,4 kV> 3,3 kV.

Production process of IGBT transistors with grooved gates. Properties of IGBT transistors of state-off voltages 600 V;1,2-2,4 kV;> 3,3 kV.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Technologia bramek rowkowych w tranzystorach IGBT