Tytuł pozycji:
Electrical properties of the layered single crystals TlGaSe2 and TlInS2
- Tytuł:
-
Electrical properties of the layered single crystals TlGaSe2 and TlInS2
- Autorzy:
-
Fedotov, A.
Tarasik, M. I.
Svito, I. A.
Mammadov, T. G.
Zhukowski, P.
Koltunowicz, T. N.
Seyidov, M. Y.
Suleymanov, R. A.
Grivickas, V.
Bicbaevas, V.
- Data publikacji:
-
2012
- Słowa kluczowe:
-
kryształ warstwowy
przejście fazowe
rezystancja stałoprądowa
zmiennoprądowa przewodność
layered crystal
phase transition
DC resistance
AC conductance
- Język:
-
angielski
- Dostawca treści:
-
BazTech
-
Przejdź do źródła Link otwiera się w nowym oknie
In the doped crystals TlGaSe2 and TlInS2, using method of temperature dependencies of DC resistance in the temperature range of 100 – 300 K, the phase transitions at the temperatures of 240 – 245 K and 105 – 120 K were observed. The AC conductance measurements at room temperature indicated the hopping mechanism of carrier transport in the studied samples.
W domieszkowanych kryształach TlGaSe2 i TlInS2 dla temperaturowych zależnościach rezystancji z przedziału 100 – 300 K zmierzonej przy użyciu prądu stałego zaobserwowano przejścia fazowe w przedziałach temperatur 240 – 245 K i 105 – 120 K. Pomiary konduktywności przy użyciu prądu przemiennego w temperaturze pokojowej wskazały skokowy mechanizm przenoszenia ładunków w badanych próbkach.
