Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Effect of absorbing layer thickness on efficiency solar cells based on Cu(In,Ga)(S,Se)2

Tytuł:
Effect of absorbing layer thickness on efficiency solar cells based on Cu(In,Ga)(S,Se)2
Autorzy:
Tivanov, M.
Astashenok, L.
Fedotov, A.
Węgierek, P.
Data publikacji:
2012
Słowa kluczowe:
Cu(In,Ga)(S,Se)2
ogniwo słoneczne
warstwa absorbcyjna
solar cell
absorbing layer
Język:
angielski
Dostawca treści:
BazTech
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
On the basis of one-dimensional model of the solar cell (SC) the influence of photoactive layer thickness on the photocurrent (a key parameter for the collection efficiency of photogenerated charge carriers) of a has been studied. It is shown that for a typical Cu(In,Ga)(S,Se)2 - based SC the optimal value of the photoactive layer thickness is about 1.5 žm. Reducing the thickness of the photoactive layer leads to a sharp decrease in the photocurrent and increase the series resistance.
Na podstawie jednowymiarowego modelu ogniwa słonecznego zbadano wpływ grubości warstwy fotoaktywnej na natężenie fotoprądu (parametru kluczowego dla ustalania sprawności fotogenerowanych nośników ładunku). Wykazano, że dla typowych ogniw słonecznych opartych o Cu(In,Ga)(S,Se)2 optymalną wartością grubości warstwy fotoaktywnej jest w przybliżeniu 1,5 žm. Redukując grubość warstwy fotoaktywnej doprowadzono do gwałtownego spadku wartości fotoprądu i wzrostu rezystancji szeregowej.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies