Estymacja parametrów niezawodnościowych półprzewodnikowych źródeł światła

Coraz częściej półprzewodnikowe źródła światła zastępują tradycyjne żarówki. Ich bardzo duża żywotność wynika z własności emisji światła ze struktury półprzewodnika. To praktycznie eliminuje uszkodzenia związane z całkowitym zanikiem świecenia. Jednak zachodzące w takiej strukturze procesy degradacji istotnie zmniejszają ilość emitowanego światła. W pracy przedstawiono wyniki badań modelowana matematycznego pozwalającego szacować parametry niezawodnościowe półprzewodnikowych źródeł światła zarówno w oparciu o obserwację czasów do uszkodzeń nagłych jak i stopniowych, związanych z zachodzącymi procesami degradacji.

---

Semiconductor light sources replace traditional incandescent lamp. Their very long durability is a consequence of performance of light emission from semiconductor structure. This almost completely eliminates hard failures results. But degradation processes existing in such structure seriously reduce the intensity of light emitted, generating soft failures. The paper presents mathematical modeling results enabling to estimate the reliability parameters of semiconductor light sources based on hard and soft failures as a result of degradation processes.