Behawioralny model tranzystora IGBT

W artykule przedstawiono rezultaty prac nad uniwersalnym modelem tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT), przydatnym w symulacjach układów energoelektronicznych wymagających odwzorowania stanów ustalonych i dynamicznych. Rozważono behawioralny model IGBT w układzie klasycznym z nieliniowymi aproksymacjami pojemności pasożytniczych. Eksperymentalne testy modelu modułu IGBT typu CM200DY-24A (Mitsubishi) przeprowadzono w układzie przerywacza szeregowego.

---

This paper presents results on modelling of the Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) for simulation of power electronics systems requiring adequacy both in steady-state and in switching conditions. The behavioural IGBT model in classic representation with nonlinear parasitic capacitances approximation is considered. Experimental validation of the model of IGBT module type CM200DY-24A (Mitsubishi) is performed during switching cell operation.