ZnO thin film deposition with pulsed magnetron sputtering

In this work, the pulse magnetron sputtering was applied to Zn-Bi-O thin films deposition. It was proved that the rate of metal target sputtering with argon model plasma was highest when using DC-M bias, while reactive sputtering of metal or oxide targets was most effective in the case of AC-M mode of biasing. The rates of material depositions were comparable or higher than those achievable with other methods like e.g. radio-frequency RF or DC sputtering. The Zn-Bi-O layers were characterized of varistor property.

---

W prezentowanej pracy przedstawiono otrzymywanie cienkich warstw ZnO metodą impulsowego rozpylania magnetronowego. Wykazano, że szybkości rozpylania targetów metalicznych w argonie jest większa dla metody DC-M. Natomiast rozpylanie reaktywne lub targetów tlenkowych należy stosować metodę AC-M. Uzyskane wartości szybkości osadzania warstw są porównywalne do wartości uzyskanymi innymi metodami np. RF, DC. Otrzymane warstwy Zn-Bi-O charakteryzowały się efektem warystorowym.