Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

On the extraction of threshold voltage, effective channel length and series resistance of MOSFETs

Szczegóły
Abstrakt

Tytuł:: On the extraction of threshold voltage, effective channel length and series resistance of MOSFETs
Autorzy:: Ortiz-Conde, A.
Garcia Sánchez, F.J.
Liou, J.J.
Data publikacji:: 2000
Słowa kluczowe:: threshold voltage
channel length
series resistance
parameter extraction
Język:: angielski
Dostawca treści:: BazTech
: Artykuł

Przejdź do źródła Pełny tekst

The first part of this article presents the modeling of the long-channel bulk MOSFET as a particular case of the SOI MOSFET. The second part reviews compares and scrutinizes various methods to extract the threshold voltage, the effective channel and the individual values of drain and source resistances. These are important device parameters for modeling and circuit simulation.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

On the extraction of threshold voltage, effective channel length and series resistance of MOSFETs