Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

High-temperature instability processes in SOI structures and MOSFETs

Szczegóły
Abstrakt

Tytuł:: High-temperature instability processes in SOI structures and MOSFETs
Autorzy:: Nazarov, A.N.
Kilchytska, V.I.
Vovk, Ja.N.
Colinge, J.P.
Data publikacji:: 2001
Słowa kluczowe:: SOI
MOSFET
high-temperature
instability
ZMR
SIMOX
Język:: angielski
Dostawca treści:: BazTech
: Artykuł

Przejdź do źródła Pełny tekst

The paper reviews the problems related to BOX high-temperature instability in SOI structures and MOSFETs. The methods of bias-temperature research applied to SOI structures and SOI MOSFETs are analysed and the results of combined electrical studies of ZMR, and SIMOX SOI structures are presented. The studies are focused mainly on electrical discharging processes in the BOX at high temperature and its link with new instability phenomena such as high-temperature kink effects in SOI MOSFETs.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

High-temperature instability processes in SOI structures and MOSFETs