Surface layers produced by the PACVD method with the use of trimethylaluminum

The paper describes the processes that produce alumina oxide layers on titanium by the PACVD method with the use of trimethyloaluminum as the donor. By dosing the metal-organic compound at 400°C and oxidizing the Al coating being formed under glow discharge conditions at a temperature of the order of 550°C, we obtain a nano-crystalline AI2O3 layer. An increase in the glow discharge oxidizing temperature to about 600°C, enables the intermetallic phases of the Ti3Al type to be formed.

---

W artykule omówiono procesy prowadzące do wytworzenia warstw tlenku glinu na tytanie metodą PACVD stosując jako donor glinu- trimetyloglin. Dozując związek metaloorganiczny w 400°C i utleniając w warunkach wyładowania jarzeniowego tworzącą się powłokę Al w temperaturze rzędu 55O°C uzyskuje się nanokrystaliczną warstwą Al2O3. Kolejne podwyższenie temperatury procesu utleniania jarzeniowego do około 600°C pozwala na wytworzenie faz międzymetalicznych typu TiAl3.