Wysokoczęstotliwościowy przekształtnik z tranzystorami SiC JFET

W referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Duża stromość narastania napięcia rzędu dziesiątek kV/žs powoduje problemy EMC oraz EMI. Wysokoczęstotliwościowe przekształtniki z tranzystorami SiC JFET dają nowe możliwości regulacji układów z silnikami wysokoobrotowymi (100 tys. obr./min.), co potwierdzają przedstawione wyniki badań symulacyjnych i eksperymentalnych generacji napięcia o częstotliwości podstawowej harmonicznej 1500Hz.

---

The paper presents design and testing of a three-phase voltage inverter built with application of silicon carbide (SiC) Schottky diodes and SiC JFET transistors. Shorter switching times of these elements in comparison with IGBTs and diodes based on a silicone (Si) makes it possible operation with a frequency of 100 kHz and higher. High rate of change of power devices voltages, up to several dozen of kV/žs causes EMC and EMI problems. High-frequency converters with SiC JFET transistors gives new capabilities in control of high-speed electric motors.