Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Optical gain saturation effects in InAs/GaAs self-assembled quantum dots

Tytuł:
Optical gain saturation effects in InAs/GaAs self-assembled quantum dots
Autorzy:
Wasiak, M.
Bugajski, M.
Machowska-Podsiadło, E.
Ochalski, T.
Kątcki, J.
Sarzała, R.P.
Maćkowiak, P.
Czyszanowski, T.
Nakwaski, W.
Chen, J. X.
Oesterle, U.
Fiore, A.
Ilegems, M.
Data publikacji:
2002
Język:
angielski
Dostawca treści:
BazTech
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
An attempt has been made to understand electronic structure and optical (lasing) properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots (QD) and to describe saturation effects in QD levels population. The new, improved rate equation model has been developed. The impact of carrier relaxation and level depopulation inside quantum dots on lasing properties, in particular on gain depressing, is discusse.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies