Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Photoreflectance study of AlGaN/GaN heterostructures grown by MOCVD process

Tytuł:
Photoreflectance study of AlGaN/GaN heterostructures grown by MOCVD process
Autorzy:
Wójcik, A.
Piwoński, T.
Ochalski, T.J.
Kowalczyk, E.
Bugajski, M.
Grzegorczyk, A.
Macht, Ł.
Haffouz, S.
Larsen, P.K.
Data publikacji:
2002
Język:
angielski
Dostawca treści:
BazTech
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
In this paper we report the results of photoreflectance (PR) spectroscopy of GaN/AlGaN heterostructures used for realisation of high electron mobility transistors (HEMTs). For the proper operation of such structures a triangular quantum well created at the interface between GaN and AlGaN is required. Due to quantum confinement in this area 2DEG is created. The data obtained from PR technique allow to estimate a real shape of 2DEG confinement potential, what is necessary for verification of design and correctness of the growth process.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies