Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Persistent photoconductivity in a InP:Fe single layer structure at room temperature

Tytuł:
Persistent photoconductivity in a InP:Fe single layer structure at room temperature
Autorzy:
Zardas, G. E.
Yannakopoulos, P. H.
Symeonides, C. I.
Csabay, O.
Euthymiou, P. C.
Data publikacji:
2005
Słowa kluczowe:
semiconductor
photoconductivity
recombination and trapping
photoelectron spectroscopy
Język:
angielski
Dostawca treści:
BazTech
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
Measurements of current in the dark and under illumination were carried out at room temperature on samples of semi-insulating (SI) InP:Fe, on which a layer of low resistivity InP:Fe was deposited. A voltage of 25 mV was applied. After the illumination was switched off, a remaining current was observed, for at least one hour, higher than the current before the illumination. This phenomenon is known as persistent photoconductivity (PPC) and, according to the suggested models, is due to the barriers separating electrons and holes and preventing their recombination.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies