Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Distribution of electronic states in amorphous Zn-P thin films on the basis of optical measurements

Tytuł:
Distribution of electronic states in amorphous Zn-P thin films on the basis of optical measurements
Autorzy:
Jarzabek, B.
Weszka, J.
Cisowski, J.
Data publikacji:
2008
Słowa kluczowe:
amorphous semiconductors
thin films
absorption coefficient
model of electronic structure
Język:
angielski
Dostawca treści:
BazTech
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
Transmission and fundamental reflectivity studies, completed on amorphous Zn-P thin films, allowed us to obtain parameters describing the fundamental absorption edge, i.e., the optical pseudogap EG, Urbach energy EU and exponential edge parameter ET. All these data, together with the results of earlier transport measurements, have been utilized in developing simple models of electronic structure (distribution of electronic states) for amorphous Zn-P thin films of two compositions, i.e., Zn57P43 (near stoichiometry of Zn3P2) and Zn32P68 (near stoichiometry of ZnP2).

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies