Badania rozpuszczalności i krystalizacji siarczanu wapna w układzie CaSO4 - ZnCl2 - H20. Część 2

Badano szybkość wzrostu kryształów CaSO4.2H20 w układzie CaS04 - ZnCl2 - H20 z uwzględnieniem wpływu przesycenia początkowego i temperatury. Ustalono optymalne warunki prowadzenia procesu usuwania nadmiarowego siarczanu wapnia z roztworów chlorku cynku. Wydzielony dwuwodny siarczan wapnia da się odsączyć, a zwilżający go roztwor przemyć. Szybkość wzrostu kryształów CaS04.2H20 jest w granicach błędu niezależna od wielkości początkowego przesycenia. Stwierdzono, że prowadzenie procesu wytrącania kryształów gipsu w temperaturach wyższych od 45°C jest niecelowe, gdyż jego przyspieszenie jest nieekonomiczne. Zaproponowano prowadzenie tego procesu w zakresie temperatur od 25° do 45°C.

---

The growth rate of CaS04.2H20 crystals in the CaS04 - ZnCl2 - H2O system was investigated taking into account the effect of initial supersaturation and temperature. Optimum conditions for excess calcium sulphate removal process from zinc chloride solutions were determined. Separated calcium sulphate dihydrate can be filtered off and the solution wetting it washed out. The growth rate of CaS04.2H20 crystals is - within error limits - independent on the magnitude of initial supersaturation. It has been stated, that the process of precipitation of gypsum crystals at temperatures higher than 45°C is inexpedient, its acceleration being uneconomic. It has been proposed to carry out the process in temperature range 25° to 45°C.