Analiza elektrycznych własności struktur MIS na bazie GaAs orazSi w oparciu o metodę spektroskopii impedanacyjnej

Obiektem badań były struktury Au/Pd/Ti-SiO2-GaAs oraz Al-SiO2-Si wykonane na bazie półprzewodników typu p. Wykonano pomiary pojemności i konduktancji struktur w szerokim zakresie częstotliwości i napięć polaryzacji bramki. Pokazano możliwość opisania charakterystyk admitancyjnych struktur w oparciu o układ równoważny. W układzie równoważnym procesy prowadzące do częstotliwościowej dyspersji charakterystyk reprezentowane są przez element stałofazowy (CPE) połączony szeregowo z rezystancją. Dla różnych napięć bramki wyznaczono parametry układu równoważnego oraz stałe czasowe opisujące procesy elektronowe w badanych

---

The Au/Pd/Ti-SiO2-GaAs and Al-SiO2-Si structu-res both with p-type semiconductors have been investigated. The measurements of the capacitance-voltage characteristics at different frequencies have been performed as well as frequency dependence of MIS capacitance and conductance at fixed gate voltages. The electrical equivalent circuits which allow to describe obtained characteistics in a simple way has been presented. They contain constant phase elements (CPE) in series with resistors. The parameters of these circuits have been estimated at different gate voltages as well as the characteristic time constants, which describe the electron processes res in observed frequency behaviour of admittance characteristics,