Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Dynamics of laser-induced melting and modification of the surface of semiconductors by nanosecond laser pulses

Tytuł:
Dynamics of laser-induced melting and modification of the surface of semiconductors by nanosecond laser pulses
Autorzy:
Gnatyuk, V.
Aoki, T.
Vlasenko, O.
Gorodnychenko, O.
Data publikacji:
2009
Słowa kluczowe:
semiconductors
laser irradiation
time-resolved reflectivity
melting threshold
Język:
angielski
Dostawca treści:
BazTech
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie  Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie
In situ detection and dynamics of laser-induced melting in different semiconductor crystals (CdTe, CdHgTe, GaAs, InSb and SiC) were performed by the time-resolved reflectivity (TRR). The samples were subjected to irradiation with 20 ns pulses of KrF excimer or ruby laser with energy density varied in a wide range. The surface morphology of the crystals was monitored using optical microscopy and time dependences of the temperature of the crystal surface as a function of laser pulse energy density was also calculated. The melting and ablation threshold values were determined and specific features of the laser-induced phase transitions in the surface region of the semiconductors were analyzed.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies