Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Overhauser effect and anisotropy of electron spin g-factor in GaAs / AlGaAs quantum wells

Tytuł:
Overhauser effect and anisotropy of electron spin g-factor in GaAs / AlGaAs quantum wells
Autorzy:
Ito, T.
Shichi, W.
Ichida, M.
Gotoh, H.
Kamada, H.
Ando, H.
Data publikacji:
2009
Słowa kluczowe:
quantum well
electron spin g-factor
Overhouser effect
Język:
angielski
Dostawca treści:
BazTech
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie  Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie
To investigate the dependence of electron g-factor on magnetic field in GaAs / AlGaAs quantum wells time-resolved photoluminescence measurements under a high magnetic field in different experimental configuration, the magnetic field perpendicular (g up tack ) and parallel (g II) to the quantum confinement direction, has been studied. When the angle between the magnetic field and the confinement direction is 45°, the precession frequency varies depending on polarity of magnetic field and the circular polarization type of excitation light (sigma+ or sigma-). We found that these dependences of the precession frequency exhibit main features of Overhauser effect with an effective magnetic field of 0.5 T that nuclear spins react back on electron spin precession and the g-factor value is not affected by the effective magnetic field. The g+ and gii values agree well with the results of four-band k • p perturbation calculations.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies