Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Initial growth stage of CaF₂ on Si(111) studied by rheed

Szczegóły
Abstrakt

Tytuł:: Initial growth stage of CaF₂ on Si(111) studied by rheed
Autorzy:: Daniluk, A.
Mazurek, P.
Paprocki, K.
Mikołajczak, P.
Data publikacji:: 1998
Język:: angielski
Dostawca treści:: BazTech
: Artykuł

Przejdź do źródła

Analyses of reflection high-energy electron diffraction (RHEED) intensity changes observed during initial stages of heteroepitaxial growth of calcium fluoride (CaF₂) on Si(111) substrate were presented. Layers obtained by deposition of CaF₂ on a hot (550°C) substrate demonstrate a high-quality crystallographic structure. The state of the surfaces of growing layers is being researched with the in situ of RHEED rocking curve.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Initial growth stage of CaF₂ on Si(111) studied by rheed