Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

DC conduction mechanisms in thin layers of 1.4-cis polybutadiene doped with sexiphenyl

Tytuł:
DC conduction mechanisms in thin layers of 1.4-cis polybutadiene doped with sexiphenyl
Autorzy:
Tkaczyk, S. W.
Data publikacji:
1998
Język:
angielski
Dostawca treści:
BazTech
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
DC conductivity measurements of 1.4-cis-polybutadine doped with sexiphenyl were carried out. The aim of these measurments was to study conduction mechanisms, i.e. the methods of injection of charge carriers into the bulk of the material and transport properties. Roentgenography measurements were carried out to study structure of the solid as well as the phase transitions. As this work presents a portion of our investigations they were restricted to the results obtained for a layer having thickness d = 2.4 µm with gold and aluminium electrodes coupled. The temperature was chanbed from 127 K to 366 K. The range of voltages applied was 0 to 120 V. 1.4-cis-polybutadiene consisting of 96% cis-and 4% trans-form was purchased from Philips Pertoleum Corp. Sexiphenyl was purchased from Tokyo Kasei Kogyo Co. Ltd. A correlation was observed between internal structure of the material and its electrical properties. It was found that DC conductivity can be described in terms of Poole-Frankel effect, high-field hopping and Richardson-Schottky (R-S) effect. Determined activation energies are ranging from 0.035 eV to 0.18 eV.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies