Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Optical studies of MOVPE grown GaN layers

Szczegóły
Abstrakt

Tytuł:: Optical studies of MOVPE grown GaN layers
Autorzy:: Ciorga, M.
Jezierski, K.
Bryja, L.
Misiewicz, J.
Paszkiewicz, R.
Korbutowicz, R.
Panek, M.
Paszkiewicz, B.
Tłaczała, M.
Trabjerg, I.
Data publikacji:: 1999
Słowa kluczowe:: GaN
MOVPE
photoluminescence
reflectance
Kramers-Kronig analysis
Język:: angielski
Dostawca treści:: BazTech
: Artykuł

Przejdź do źródła

Photoluminescence and reflectance studies of MOVPE grown GaN samples were performed. From reflectance measurements optical constants were calculated by means of Kramers-Kronig analysis in the energy region 0-6 eV.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Optical studies of MOVPE grown GaN layers