Metoda funkcji Greena w modelowaniu nanoelektronicznych struktur warstwowych

W pracy omówiono zastosowanie formalizmu funkcji nierównowagowych funkcji Greena w odniesieniu do przyrządów nanoelektronicznych o strukturze warstwowej. Metodę zilustrowano przykładem obliczeniowym, w którym wyznaczono charakterystykę prądowo napięciową diody rezonansowej, oraz gęstości prądu i ładunku w strukturze diody.

---

In the paper the formalism of nonequilibrium Green function referred to nanostuctural layered electronic devices has been described. The method was illustrated with numerical example in which resonant tunneling diode has been solved for current-voltage characteristic, and current and charge densities within the diode structure.