Wspomaganie projektowania masek technologicznych oprogramowaniem ISE-TCAD

W pracy zaprezentowany został proces projektowania masek technologicznych służących do wykonania tranzystora VDMOS, wspomagany symulacjami z użyciem oprogramowania ISE-TCAD [1]. Dzięki wykorzystaniu powyższego oprogramowania, możliwe było zoptymalizowanie rozmiarów poszczególnych masek do procesów fotolitografii, pozwalających wykonać założony przyrząd. Celem pracy jest pokazanie jak poszczególne parametry procesów podczas wykonywania struktur półprzewodnikowych, wpływają na uzyskiwany efekt końcowy. Zastosowanie wspomnianego oprogramowania znacznie skróciło czas potrzebny na zaprojektowanie masek, a także umożliwiło dobranie ich optymalnych rozmiarów.

---

Design of the technological masks for VDMOS transistor, using ISE-TCAD simulation software, is being presented in this paper [1]. By using the above software, it is possible to optimize masks for photolithography processes, needed for manufacturing the designed device. The aim of this paper is to show how each of the parameters affects the final result. The use of this software significantly reduced the time needed to design masks, and allowed to benefit of their optimum sizes.