Krystalizacja techniką PAMBE nanostruktur GaN na podłożach Si

Szczegóły
Abstrakt

Tytuł:: Krystalizacja techniką PAMBE nanostruktur GaN na podłożach Si
Autorzy:: Żytkiewicz, Z. R.
Sobańska, M.
Kłosek, K.
Borysiuk, J.
Wierzbicka, A.
Reszka, A.
Tchutchulashvili, G.
Data publikacji:: 2012
Słowa kluczowe:: azotek galu
GaN
epitaksja z wiązek molekularnych
PAMBE
plazmowe źródło azotu
nanodruty
gallium nitride
plasma assisted molecular beam epitaxy
nitrogen plasma source
nanowires
Język:: polski
Dostawca treści:: BazTech
: Artykuł

Przejdź do źródła

W pracy przedstawiono wyniki uzyskane podczas wzrostów warstw i nanostruktur GaN na podłożach Si (111) przy wykorzystaniu techniki epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu. Omówiono wpływ warunków wzrostu na właściwości otrzymywanych struktur.

We report results of our studies on plasma-assisted MBE growth and properties of GaN layers and nanostructures deposited on Si (111) substrates. The influence of growth conditions on the properties of GaN nanostructures is discussed.

Informacja

Krystalizacja techniką PAMBE nanostruktur GaN na podłożach Si