Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Control of ferromagnetism in Cd1-xMnxTe quantum wells

Szczegóły
Abstrakt

Tytuł:: Control of ferromagnetism in Cd1-xMnxTe quantum wells
Autorzy:: Tatarenko, S.
Bertolini, M.
Maslana, W.
Boukari, H.
Gilles, B.
Cibert, J.
Ferrand, D.
Kossacki, P.
Gaj, J. A.
Data publikacji:: 2003
Słowa kluczowe:: molecular beam epitaxy
quantum wells
magnetic materials
semiconducting II-VI materials
Język:: angielski
Dostawca treści:: BazTech
: Artykuł

Przejdź do źródła

New structures aiming at controlling ferromagnetic properties of diluted magnetic semiconductors quantum wells are presented. The carrier density is monitored by applying voltage in p-i-n diode or adjusting a distance between quantum well and surface. Surface doping was successfully applied to obtain samples with CdMnTe quantum well with up to 9.3% Mn concentration.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Control of ferromagnetism in Cd1-xMnxTe quantum wells