Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Wielodomenowe modelowanie i praktyczna weryfikacja tranzystorów jonoczułych ISFET

Tytuł:
Wielodomenowe modelowanie i praktyczna weryfikacja tranzystorów jonoczułych ISFET
Autorzy:
Janicki, M.
Daniel, M.
Napieralski, A.
Data publikacji:
2003
Słowa kluczowe:
ISFET
modelowanie wielodomenowe
VHDL-AMS
multidomain modelling
Język:
polski
Dostawca treści:
BazTech
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
Zaprezentowano model tranzystora jonoczułego. Tranzystory tego typu wykorzystywane są do pomiaru kwasowości roztworów i mogą być wykorzystywane w systemach kontroli jakości wód. Przedstawiony przez autorów model uwzględnia podstawowe zależności temperaturowe, przy czym jest stosunkowo prosty i dokładny. Weryfikacja modelu została dokonana na podstawie pomiarów rzeczywistych struktur.
In this paper the multidomain model of Ion Sensitive Field Effect Transistor was presented. Presented model combines the simplicity and accuracy and can be implemented in any SPICE-like simulator. The simulation results were compared to the measurements of the real structures.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies