Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Planar junction formation in HgCdTe infrared detectors

Szczegóły
Abstrakt

Tytuł:: Planar junction formation in HgCdTe infrared detectors
Autorzy:: Rutkowski, J.
Data publikacji:: 2004
Słowa kluczowe:: planar photodiodes
heterojunction
HgCdTe
Język:: angielski
Dostawca treści:: BazTech
: Artykuł

Przejdź do źródła

This paper presents an overview of fundamental techniques for planar junction formation in HgCdTe infrared detectors. At the beginning, the evolution of HgCdTe photodiode performance is presented. Further considerations are restricted to modern methods of p-n junction formation, so the current state of the art of different types of HgCdTe photodiodes is presented. The comparison of theoretical and experimental results for planar HgCdTe photodiodes is finally described.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Planar junction formation in HgCdTe infrared detectors