Fotoemisja a przejścia optyczne

Treścią pracy jest analityczne przedstawienie mechanizmu fotoemisji skorelowanego z przejściami optycznymi. Przedyskutowano klasyczne modele pasmowe fotoemisji zależne od przejść objętościowych. Omówiono wpływ przypowierzchniowego wygięcia pasm energetycznych na parametry fotoemisji. Z danych doświadczalnych: z widm odbicia, z widm wydajności kwantowej i rozkładu fotoelektronów zostały wyciągnięte informacje co do energetycznej struktury warstw przypowierzchniowych półprzewodników, przedstawionych na rysunkach.

---

The paper is devoted to the analysis of photoemissive mechanism which is corelated with the optical transitions of electrons. The classical models of photoemission based on the volume, optical transitions are discussed. The dependence of the photoemissive parameters of semiconductors on the surface band bending is described. From the experimental data: for example from the reflective spectra the quantum yield functions and the photoelectron distributions, the informations about the energy structure of surface layers of semiconductors are indicated and presented in the graphic form.