Tranzystory mocy typu MOS z węglika krzemu

W pracy dokonano przeglądu literatury dotyczącej opracowanych laboratoryjnych struktur tranzystarów MOS mocy z węglika krzemu. Przedstawiono charakterystyki i podstawowe parametry tych elementów. Omawiane tranzystory, ze względu na rodzaj kanału, podzielono na dwie zasadnicze grupy - tranzystory z kanałem inwersyjnym (indukowanym) oraz z kanałem akumulacyjnym (wbudowanym).

---

This paper deals with the literature review of the SiC power MOS transistors elaborated, fabricated and investigated in the laboratories of the known electronic concerns and some universities. The parameter values and characteristics are also presented. Depending on the kind of the channel, the SIC MOSFETs with the inversion and accummulation channel respectively, have been distinguished and discussed.