Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

A SiGe bipolar WCDMA power amplifier with 52% PAE at 3.3 V

Szczegóły
Abstrakt

Tytuł:: A SiGe bipolar WCDMA power amplifier with 52% PAE at 3.3 V
Autorzy:: Kitlinski, K.
Donig, G.
Bakalski, W.
Kapfelsperger, B.
Weigel, R.
Data publikacji:: 2004
Słowa kluczowe:: microwave power bipolar transistor amplifiers
MMIC amplifiers
code division multi-acces
inductors
Język:: angielski
Dostawca treści:: BazTech
: Artykuł

Przejdź do źródła

A monolithic radio frequency power amplifier for WCDMA handheld applications has been fabricated in a 0.35 um, 40 GHz fT - volume production SiGe bipolar technology. The process technology features a doped ground connection for on-chip devices to improve the overall performance. At 3.3 V supply voltage saturated output power of 29 dBm with a PAE of 52% has been achieved; simultaneously OP1 dB reaches 28 dBm and the small signal gains is 32 dB.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

A SiGe bipolar WCDMA power amplifier with 52% PAE at 3.3 V