Wpływ materiału przekładki na odporność na zarysowanie supersieci TiN/CrN

Przedstawiono wyniki testu nanozarysowania wykonanego dla supersieci TiN/CrN nałożonej na nanokryształ Si(100), pokryrty trzema różnymi warstwami: Si₃N₄ (PECVD), SiO₂ t (termiczny) i SiO₂p (PECVD) o grubości 200 nm. Najmniejszą głębokość zarysowania uzyskano dla podłoża Si/Si₃N₄. Te podłoża będą najlepsze dla przyszłych zastosowań supersieci TiN/CrN w ruchomych, ślizgowych skojarzeniach mikroelementów.

---

In this paper we present the results of nanoscratch tests of the TiN/ /CrN superlattice deposited on the single-crystal Si(100) face covered by three different films, namely Si₃N₄ (PECVD), SiO₂ t (thermal oxide) and SiO₂ p (PECVD), 200 nm thick. We obtained the smallest scratch depth for Si/Si₃N₄ substrate. This substrate seems to be the best solution for the future applications of the TiN/ CrN superlattice in sliding contacts of microelements.