Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Analiza skutków ultrapłytkiej implantacji jonów azotu w plazmie w cz. (13,56 MHz)

Tytuł:
Analiza skutków ultrapłytkiej implantacji jonów azotu w plazmie w cz. (13,56 MHz)
Autorzy:
Bienek, T.
Beck, R. B.
Jakubowski, A.
Kudła, A.
Data publikacji:
2005
Słowa kluczowe:
dual gate
implantacja plazmowa
tlenki
tlenkoazotki
PECVD
XPS
dual gate technology
plasma implantation
oxides
oxynitrides
Język:
polski
Dostawca treści:
BazTech
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
Przedstawione w pracy eksperymenty są częścią szerszych studiów mających na celu zbadanie możliwości zastosowania jednocześnie obu etapów wytwarzania warstwy dielektrycznej, np. ultrapłytkiej implantacji jonów azotu i utleniania w jednym stanowisku technologicznym.
Presented in this work experiments are a part of a broader study that examines the possibility of conducting both stages of creation of the dielectric (e.g. ultra-shallow nitrogen implantation and silicon oxidation) in one technological reactor.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies