Analiza profilowa SIMS półprzewodnikowych struktur laserowych

Zaprezentowano analizy profilowe struktur laserowych otrzymanych metodą epitaksji z wiązek molekularnych (MBE) w Instytucie Technologii Elektronowej w Warszawie. Analizy profilowe wykonano metodą spektrometrii mas jonów wtórnych (SIMS), stosując aparaturę SAJW-05 wyposażoną w kwadrupolowy spektrometr mas oraz wyrzutnię jonów Ar⁺. Stosowano wiązki jonów o energiach 880...5000 eV i różnych kątach padania. Badanie warstwy o grubości 8 nm zawierającej ind, na głębokości 1,59 µm struktury, pozwoliło na uzyskanie głębokościowej zdolności rozdzielczej 7 nm.

---

Secondary ion mass spectrometry (SIMS) depth profile analyses of laser structures grown with the use of molecular beam epitaxy (MBE) were performed on SAJW-05 analyzer equipped with quadrupole mass analyzer and electron bombardment ion gun. Argon ion beams of energies 880 eV and 5 keV and various incidence angles were performed. 8 nm thick indium reach layer buried at a depth ot 1.59 µm of a structure resulted in depth profile resolution of 7 nm.