Inteligentny system pomiarowy do badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych

Przedstawiono inteligentny system pomiarowy do badania centrów detektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych w zastosowaniu do półizolującego GaAs. Do tworzenia obrazu struktury defektowej na podstawie pomiaru zaników fotoprądu w szerokim zakresie temperatury wykorzystano procedurę korelacyjną oraz procedurę opartą na odwrotnej transformacji Laplace 'a.

---

In this paper we present the experimental system for characterisation of defect structure of high-resistivity semiconductors with implementation of intelligent procedures. A new approach is exemplified by studies of defect centres in semi-insulating (SI) GaAs. The defect structure images are created from the photocurrent decay measurements in a wide range of temperatures using the correlation procedure and inverse Laplace transformation algorithms.